三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存
作者：admin發(fā)表時(shí)間：2018-01-16瀏覽量：2188【小中大】
三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和新的電源管理技術(shù)，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉(zhuǎn)換為物理塊地址的映射過(guò)程。
文本標(biāo)簽：三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存
三星512GB eUFS控制器采用64層512Gb V-NAND先進(jìn)的電路設(shè)計(jì)和新的電源管理技術(shù)，將能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了將邏輯塊地址轉(zhuǎn)換為物理塊地址的映射過(guò)程。
三星512GB eUFS讀寫(xiě)性能也非常強(qiáng)大。512GB嵌入式存儲(chǔ)器的順序讀寫(xiě)速度分別達(dá)到860MB/s和255MB/s，能夠在6秒內(nèi)將5GB的全高清視頻片段傳輸?shù)絊SD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。
對(duì)于隨機(jī)操作，三星512GB eUFS可以讀取42,000 IOPS并寫(xiě)入40,000 IOPS?；趀UFS的快速隨機(jī)寫(xiě)入，比傳統(tǒng)micro SD卡的100 IOPS速度快大約400倍，移動(dòng)用戶(hù)可以享受無(wú)縫的多媒體體驗(yàn)，如高分辨率連拍，以及雙重文件搜索和視頻下載應(yīng)用程序查看模式。
另外，三星還計(jì)劃穩(wěn)步增加其64層512Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，并擴(kuò)大256Gb V-NAND芯片的產(chǎn)量，以滿足高級(jí)嵌入式移動(dòng)存儲(chǔ)以及高密度、高性能的高級(jí)固態(tài)硬盤(pán)和可移動(dòng)存儲(chǔ)卡的需求。
