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SI2300DS-T1-GE3
國內(nèi)庫存：SI2300DS-T1-GE3
  • 品牌：Vishay
  • 描述：原裝現(xiàn)貨
  • 單價：面議
  • 封裝：SOT23
  • 系列：MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 規(guī)格 FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.6A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 68 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） 工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型 表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236） 封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • PDF下載： PDF更新中...
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詳細信息
制造商：Vishay
描述：原裝現(xiàn)貨
單價(USD)：
封裝：SOT23
制造商:Vishay Siliconix 制造商零件編號:SI2300DS-T1-GE3 描述：MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 規(guī)格 FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.6A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 68 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） 工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型 表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236） 封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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